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近两年来，封装和测试设施越来越受到重视，技术层面的研究也变得更加深入。为了适应新一代芯片的制造要求，不少晶圆代工厂都在加快配套的先进设施建设，并加大相关技术的研究，投资规模也越来越大。据Business Korea报道，三星计划在日本横滨建造先进半导体封装研发基地，一方面期待未来通过3D堆叠提高芯片性能，另一方面会将研究重点放在人工智能和第5代移动通信网络的半导体封装处理技术上。三星之所以选择在日本打造先进封装研究中心，与供应链的合作是关键。目前三星正在与日本的材料及设备企业共同开发先进半导体技术，其中包括世界第四大半导体设备制造商东京电子（TEL）以及佳能、TDK和村田制作所等知名公司。此外，三星还计划至2027年底，在当地聘用100多名半导体专家。据了解，三星最初计划投资300亿日元，不过在日本政府的积极劝

三星本月扩展了自家的自助维修计划。该计划与自助维修服务和工具网站 iFixit 合作，最初仅支持三星 Galaxy S20、S21 和 Tab S7 设备。2023年初，三星添加了 S22 系列以及一些 Galaxy Pro 笔记本电脑。现在，和 S23 一起加入了该计划的还包括维修难度较大的折叠屏手机 GalaxyZ Flip 5 和 Fold 5。 目前折叠屏手机的 iFixit页面尚未上线，因此价格也未公布。此前谷歌与 iFixit 合作推出的 PixelFold 的内屏零件套件价格约为 900 美元，因此大概率三星的折叠维修套件也不会很便宜。目前三星通过 iFixit 提供自助维修服务的设备列表如下： 三星的自助维修计划于去年夏天退出，让 Galaxy 客户在屏幕损坏或背板玻璃破裂时能够自行修复，出售的

目前三星已向各手机厂商通知，将其手机图像传感器售价上调25%，新价格政策或将在2024年落实。据悉三星目前是全球最大的图像传感器（CIS）制造商之一，三星上调价格的行为将很大程度影响智能手机行业，各品牌的下一代影像旗舰手机售价或迎来涨价。被三星上调售价的产品大部分为3200万像素以上的图像传感器，因为这些传感器的制造过程比较复杂。但是在目前的智能手机市场中，大多数旗舰智能手机都使用5000万像素以上的相机传感器，所以它们很容易受到三星这次上调售价政策的影响，而又因为图像传感器几乎是智能手机内最贵的零部件，所以三星此举会让大部分手机厂商增加生产成本，最终导致影像旗舰手机的零售价也需上涨。此外mysmartprice还提到，若智能手机市场趋势真如上述情况般变化，那么三星Galaxy S24 Ultra极有可能被赋予

近日在投资者谈论上，三星称其代工部门计划通过增加人工智能半导体和汽车等领域的客户，摆脱过往过于依赖移动领域的做法，以实现销售结构的多样化。据了解，三星代工今年移动、高性能计算和汽车的销售占比分别为54%、19%和11%。据Wccftech报道，有三星高层表示，超大规模数据中心、汽车原始设备制造商、以及其他客户都有联系三星寻求他们设计的芯片，其中包括了正在开发的4nm人工智能加速器、排名第一的电动车企业5nm芯片，因为三星的晶圆代工和存储器部门可以将想象变为现实，而且有客户所需要的东西。目前三星正在准备自己的先进封装解决方案，称为“SAINT（Samsung Advanced Interconnection Technology.）”，将与台积电的CoWoS封装竞争。从三星透露的内容来看，或许正与AMD在人工智能

IT之家今日（11月17日）消息，三星近日致信英国消费者，表示有黑客在 2019 年 7 月 1 日至 2020 年 6 月 30 日期间，利用第三方业务应用程序（未公布）中的漏洞，窃取了三星英国商店客户的个人信息。三星在信件中表示，在 2023 年11 月 13 日，也就是3年后才发现系统遭到入侵，受影响用户的姓名、电话号码、邮政地址和电子邮件地址都可能已经外泄。三星发言人表示：“没有证据表明黑客窃取的数据，包含用户银行或信用卡详细信息或客户密码”，并补充说该公司已向英国信息专员办公室（ICO）报告了此问题。ICO 发言人阿黛尔?伯恩斯（Adele Burns）向TechCrunch 证实，英国数据保护监管机构已经意识到这一事件，并“将进行调查”。这一事件是三星在过去两年中披露的第三起数据泄露事件。

今日（11月7日），尽管三星在过去几年中一直在与AMD合作，为其Exynos芯片带来光线追踪功能，但最近有消息称，三星似乎正在研发自己的光线追踪和AI超采样技术，计划在未来的 Exynos 芯片上应用。就在几天前，有消息称三星正在与AMD和高通合作，将FSR（FidelityFX Super Resolution）引入其手机。据Daily Korea报道，三星先进技术研究院（SAIT）的一个团队似乎正在研究两项新技术：神经光线重建和神经超采样。这些技术预计将于2025 年后应用于Exynos芯片。如果这一报道准确的话，这些游戏技术可能不会包含在三星为Galaxy S25系列开发的3nm“梦想芯片”中。报道称三星的光线追踪技术优于AMD和Nvidia的方案，因为它可以对场景的所有部分进行光线追踪。相比之下，AMD

就在前不久的新品发布会上，谷歌着重宣传了搭载其自研Tensor G3处理器的Pixel 8系列的AI功能。但是据sammobile最新报道，三星将在其下一款旗舰手机Galaxy S24上加大人工智能投入力度。该网站表示，三星计划将Galaxy S24，Galaxy S24+和Galaxy S24 Ultra打造成“有史以来最智能的AI手机”，超越老对手谷歌和苹果。 该网站还表示，三星Galaxy S24系列将拥有一些类似ChatGPT和Google Bard的功能，比如根据用户提供的一些关键词来创建内容和故事。还有一些三星自家的功能，比如在发布Exynos 2400芯片时提到的文本转图像生成式AI，以及其他很多可以在线或者离线使用的功能。此外，三星也没有放弃自家的Bixby，不仅如此还会在未来几年内更加关注Bi

如今5G网络已经十分普及，下一代协议早已经提上议程，运营商、设备上也都早已开启了针对6G的研发。近日，三星电子美国分部日前已向美国联邦通信委员会（FCC）申请无线电频率使用许可，将在美国得克萨斯州普莱诺周边1公里距离内，进行12.7GHz—13.25GHz频段的6G测试。 据悉，三星电子曾于2021年底在得克萨斯州针对500米距离申请无线电频率使用许可，并进行了6G测试。此次申请的测试距离再次增加，若测试成功，将刷新6G数据的传输距离纪录。三星早在2020年7月发布6G白皮书，正式开启了这项新一代通信技术的研发，并计划在2030年左右实现6G技术商用化。 这个时间也与目前国内运营商、华为等厂商的预计时间相符。虽然目前6G的研发还是初期，没有一个具体的数据，但很多专家都表示，其数据传输速率可达到5G的50倍，时延

在加州圣何塞举办的年度存储技术大会上，三星披露了下一代HBM3E的情况，相比现有HBM3在容量、频率、带宽方面都有了巨大的提升。三星HBM3E内存采用基于EUV极紫外光刻工艺的第四代10nm级工艺制造，确切地说是14nm。单Die容量可达24Gb，8颗堆叠就是24GB，12颗堆叠就是36GB，相比HBM3增加了一半。等效频率可达9.8GHz，同样提升一半，领先SK海力士的9GHz、美光的9.2GHz，单颗芯片的带宽可以做到1-1.1225TB/s。对于NVIDIA H100这样的计算卡，六颗HBM3E可以组成单卡216GB的海量内存，总带宽高达7.35TB/s。能效方面，三星宣称可以提升10％，但显然会被25％的频率提升所抵消掉。考虑到三星刚刚量产HBM3，新一代的HBM3E将在明年的某个时候量产，而出货可能要

三星日前举办“2023年三星内存技术日”，活动期间再次更新关于其GDDR7显存的技术信息。自去年10月份三星正式公布GDDR7显存以来，就一直受到了广泛关注，如今三星带来了关于该技术更多的细节和改进。据三星官方介绍，在过去的一年里，通过精心研发设计，在改善GDDR7显存的动态功耗方面取得了显著的成果。通过新的额外时钟控制，GDDR7显存的待机功耗较之前的GDDR6降低了50%，进一步降低了设备的整体功耗。在性能上，三星表示，与目前最快的24Gbps GDDR6 DRAM相比，GDDR7显存的性能提升了40%、能效提升了20%。在速度方面，三星首批GDDR7产品的额定传输速度最高32Gbps，比GDDR6显存提升了33%，在384位总线接口时，实现了高达1.5TB/s的带宽。此外，三星还强调GDDR7显存将采用专

近日，三星在德国慕尼黑举行的2023年欧洲三星代工论坛（SFF）上，公布并介绍了其汽车工艺解决方案。三星表示，正在推动下一代解决方案的创新，以建立一个扩大的产品组合，满足其汽车客户不断增长的需求，特别是在电动汽车时代成为现实的情况下。目前三星正在加大投入准备工作，为客户提供功率半导体、微控制器、先进的自动驾驶人工智能芯片等多种解决方案。自2019年开发并量产业界首个28nmFD-SOI1型eMRAM后，三星一直在开发基于AEC-Q100 Grade 1的FinFET晶体管技术的14nm工艺。根据三星公布的路线图，计划2024年量产14nm车用eMRAM，然后在2026年和2027年分别量产8nm和5nm车用eMRAM。与14nm产品相比，8nm具有将密度提高33%、速度提高33%的潜力。此外，三星在2026年之

对于三星来说，利润锐减78%，存储芯片持续亏损，虽然需求端依然薄弱，但是他们等不急了。今年以来，三星一直奉行减产战略，1月、4月已连续宣布调整晶圆投入。最初的减产举措主要集中在DRAM领域，之后下半年三星开始着手大幅削减NAND Flash业务产量，眼下正试图推动NAND价格正常化。如今DRAM已出现价格反弹，而NAND产品仍存突破空间。三星目标是扩大减产规模，降低供应量，再提高产品价格来寻求反转，其期望明年第二季实现NAND盈亏平衡点。值得一提的是，三星9月已与客户(包括小米、OPPO及谷歌)签署了内存芯片供应协议，DRAM和NAND闪存芯片价格较之前合同价格上调10%-20%。三星电子预计，从第四季度起存储芯片市场或将供不应求，上述的价格提升，势必会影响手机厂商在大内存、高存储手机上的定价，所以大家还是要注

10月9日消息，三星全新移动固态硬盘T9目前已经上市开售，提供了1TB、2TB和4TB三种容量，售价799元起。 据介绍，T9固态硬盘身材小巧、性能强劲、耐用可靠，可为专业人士提高工作效率。是三星首款采用USB 3.2 Gen2x2接口的移动固态硬盘，顺序读取/写入速度高达2000MB/s，提高用户工作效率。 同时，T9固态硬盘兼容Windows、macOS、Android系统手机和平板电脑，另外还有游戏机和12K相机，具备高达3米的抗跌落能力。内置USB-C to C和USB-C to A连接线。 不仅如此，新款固态硬盘配备了三星的动态散热防护装置，尽可能地减少因过热导致的性能下降，保持快速的传输速度。设计符合国际安全标准IEC 62368-1，还可以使用AES 256位加密密码进行安全保护。 另外，T9固态

10月8日消息，不少人期待的三星990 Pro 4TB终于登陆国内了，售价2299元(海外售价约合2500元左右)，10月11日开卖。 从官方发布的信息来看，990 PRO 4TB的设计和性能，除了闪存容量、缓存容量双双翻倍(4GB LPDDR4)之外，其它没有任何变化。规格上，使用的是M.2 2280接口，支持PCIe 4.0 x4、NVMe 2.0，顺序读写最高7450MB/s、6900GB/s，随机读写140万IOPS、1550万IOPS。 写入寿命当然也翻倍来到2400TB，还是五年质保，平均每天全盘写入最多0.33次。990 PRO 1TB、2TB目前在国内售价分别为无散热片699元、1199元，带散热片799元、1399元。

三星在2023年第一季度财报中，出现了自2008年金融风暴以来的最差表现。其中半导体业务损失惨重，而存储器部门业绩恶化是导致该季度营收减少的主要原因，为此三星改变了“不减产”的说法，从第二季度起就开始削减DRAM芯片和NAND闪存的产量，以应对需求疲软并稳定价格，下半年的减产幅度相比年初已分别达到30%和40%。随着人工智能（AI）的蓬勃发展，企业对服务器DRAM需求不断增加，加上客户库存减少，DRAM的行情已开始出现反弹，而现在三星又将目光转向NAND闪存。据Business Korea报道，三星计划在今年第四季度将NAND产品的价格上调10%以上，预计最快在本月内的新合同上开始执行，对于想选购SSD的消费者来说可能会有不小的影响。作为全球存储半导体行业的领头羊，三星的一举一动直接影响着市场的行情走向。其中在

目前三星和台积电（TSMC）都已在3nm制程节点上实现了量产，前者于2022年6月宣布量产全球首个3nm工艺，后者则在同年12月宣布启动3nm工艺的大规模生产，苹果最新发布的iPhone 15 Pro系列机型上搭载的A17 Pro应用了该工艺。据ChosunBiz报道，虽然三星和台积电都已量产了3nm工艺，不过两者都遇到了良品率方面的问题，都正在努力提高良品率及产量。三星在3nm工艺上采用下一代GAA（Gate-All-Around）晶体管技术，而台积电沿用了原有的FinFET晶体管技术，无论如何取舍和选择，似乎都没有逃过同一个难题，在新的制程节点都没有达到预期的良品率。按照台积电的规划，在3nm制程节点上至少有5个不同的工艺，其中2个可以投产，接下来还会有N3P、N3X和N3AE。相比之下三星规划的工艺数量更

9月13日消息，对于不少存储厂商来说，减产控产能后，带来的涨价就是必然了，而领头羊三星已经在全面推动这件事了。最新消息显示，三星电子面向主要智能手机制造商的DRAM和NAND闪存芯片价格上调了10-20%，其主要智能手机制造商包括小米、谷歌等等。 据悉，三星电子预计，从第四季度起存储芯片市场的需求可能大于供应，所以涨价带来的正面收益也是必然。按照供应链消息人士的说法，三星很可能起到了一个表率的作用，接下来会有更多的存储厂商做这样的事情。 由于三星在手机存储上的优势，这也势必导致一众手机厂商来考虑接下来容量更高存储的售价走势了。目前安卓手机厂商已经快基本淘汰了128GB版本，而1TB手机也是越来越多，反观苹果，刚推出的iPhone 15依然是128GB起步，价格是5999元，这存储上赚真的不是一般的多。所以大容量

如今更加称手的小屏幕手机正在越来越被消费者认可，9月13日消息，来自博主i冰宇宙的曝料称，三星Galaxy S24系列将于明年1月份登场，比小米14发布时间晚一些。和小米14一样，Galaxy S24标准版也是一款小屏旗舰，屏幕尺寸在6.0英寸左右，搭载高通骁龙8 Gen3移动平台（部分市场可能会提供Exynos版本，搭载三星自家的Exynos 2400），属于“安卓小钢炮”。 根据此前披露的信息，高通骁龙8 Gen3采用台积电N4P工艺，CPU部分是1+5+2架构设计，含1颗Cortex-X4超大核、5颗Cortex-A720大核和2颗Cortex-A520小核。其中Cortex-X4是Arm第四代Cortex-X核心，与Cortex-X3相比，ALU数量从6个增加到8个，性能提高了15%，同时新的节能微架构

IT之家今日（9月8日）消息，三星对其代工业务的大规模投资似乎终于得到了回报。根据 TrendForce 的数据，该公司的合同芯片制造部门正在赢得市场份额。此外，三星有望于 2024 年底前在美国开始大规模生产采用 4 纳米级工艺技术的芯片，领先于台积电位于亚利桑那州的 Fab 21 工厂。据《韩国先驱报》报道，三星联合首席执行官 Kyung Kye-hyun 在首尔国立大学的一次特别演讲中表示，三星代工厂对其在半导体市场的地位持乐观态度，并准备比以前更积极地挑战台积电。三星即将在美国得克萨斯州泰勒附近建立的晶圆厂，将是该公司多年来在美国的第一座领先生产设施，三星对其寄予厚望，将使其能够满足美国众多客户的需求，并挑战英特尔和台积电的代工厂服务。报道称，如果一切按计划进行，三星 4 纳米级工艺技术（SF4E、SF

据电子时报报道，在2023年新一代半导体封装设备与材料创新战略论坛上，三星TSP（测试与系统封装）负责人Kim Hee-rye在主题演讲中表示，三星目前已经率先实现并启动全球首条无人化的半导体封装产线，并计划在2030年封装厂完全实现无人自动化。 一般来说，传统的半导体封装生产线需要大量的人力，但三星通过利用晶圆传送装置、升降机和传送带等传输设备实现了完全自动化，从而大幅减少了封装过程中的等待和移动时间，极大提高了生产效率，原来在封装生产线的操作人员现在被分配到生产线外的综合控制中心，负责管理设备和检查异常情况。凭借先进的生产技术，三星电子这条自动化的封装产线的制造人力减少了85%，设备故障发生率降低90%，整体设备生产效率提高约一倍以上。三星从2023年6月开始着手打造其封装厂的自动化无人生产线。据了解，三星