日本Rapidus正推进其2nm工艺，有报道首次披露了该节点的逻辑密度，据称与台积电的N2相当。

据透露，Rapidus的2HP工艺节点的逻辑密度达到了237.31百万晶体管/平方毫米（MTr/mm?），与台积电N2工艺的236.17 MTr/mm?相当。

这一数据表明，Rapidus的2HP工艺在逻辑密度上与台积电的N2工艺处于同一水平线，甚至在某些方面更具优势。

相比之下，英特尔的18A工艺的逻辑密度为184.21 MTr/mm?，明显低于Rapidus和台积电的水平。

Rapidus的2HP工艺采用了高密度（HD）单元库，单元高度为138单位，基于G45间距，这种设计旨在实现最大逻辑密度。

而英特尔更注重性能/功耗比，因此更高的密度并非其主要目标，特别是18A工艺主要用于内部使用。

此外，Rapidus采用了单片前端处理技术，可专注于对有限生产量进行调整，并将改进成果扩展到最终产品中，Rapidus计划在2026年第一季度向客户提供其2nm工艺设计套件。