和Tonga一比大小一目了然。因为是一代HBM，所以集成了4颗HBM显存，每一颗都采用四层Die进行堆叠，每个Die的容量为2Gb(256MB)，因此每颗容量为1GB、1024bit内存控制器，总的显存容量就是4GB、位宽4096。

不同于GDDR5是“盖平方”，3D堆叠的HBM可以理解为“盖楼房”。这也是整个HBM最大难点，即如何实现内存控制体系的互联。

HBM显存所采用的TSV(硅穿孔)技术本质上就是在保证结构强度的前提下在芯片(硅)上直接垂直通孔。通孔过程看似简单，但技术层面的进展一直相当不顺利。无论存储还是逻辑芯片的结构及加工过程都相当复杂，这注定了芯片本身的脆弱性，想要在不影响芯片强度以及完整性的前提下在一块DRAM颗粒上打洞，而且是不止一个的孔洞，这件事儿的具体技术细节根本无需讨论，光是想想就已经很难了。

这种垂直互联不仅距离更短而且延迟更低，这是HBM显存的一大优势。

现在希望的就是除了海力士，三星也能加快量产HBM，明年再升级显卡是这将成为一个更为重要的参考因素。