SK海力士今天宣布，他们已经成功开发出HBM3 DRAM内存，是全球首家开发出新一代HBM内存的公司，这是HBM系列内存的第四代产品（HBM2E也算一代），新的HBM3不仅提供了更高的带宽，还堆叠了更多层数的DRAM来增加容量。

SK海力士去年7月份才开始量产HBM2E内存，而现在就推出了HBM3，研发进度还是相当快的，这可进一步巩固他们在市场上的领导地位。SK海力士的HBM3可提供两种容量，一个是12层硅通孔技术垂直堆叠的24GB，另一个则是8层堆叠的16GB，前者的芯片高度其实也不过30微米。

性能方面，SK海力士的HBM3可提供819GB/s的带宽，比上一代HBM2E的带宽则是460GB/s，带宽提高了78%，像NVIDIA的A100计算卡目前用了6颗HBM2E做显存，可提供2TB/s的带宽，换成HBM3后带宽最高能提到4.9TB/s，显存容量最高也能到144GB。

与HBM2E相比HBM3内存还内置了片上纠错技术，显著提高了产品的可靠性，预计HBM3将会主要被用在高性能数据中心以及机械学习平台上，以提高人工智能水平和超级计算机的性能，可用于气候变化分析和药物开发。