三星在去年的“Samsung Foundry Forum 2021”论坛活动上，确认在3nm制程节点引入了全新的GAAFET全环绕栅极晶体管工艺，分为早期的3GAE以及3GAP。近日，三星表示有望在本季度开始使用3GAE制造工艺进行大批量生产，在一份声明中写道：“这是世界上首次大规模生产3nm GAA工艺来提高技术领先的地位。”

据三星介绍，MBCFET多桥-通道场效应晶体管工艺是其第一个使用的GAAFET工艺，作为一种全新的形式，不但保留了GAAFET工艺的优点，而且兼容之前的FinFET工艺技术。使用其3GAE技术生产的256Mb GAAFET SRAM芯片时，可实现30%的性能提升、50%的功耗降低以及晶体管密度提高80%（包括逻辑和SRAM晶体管的混合）。

三星表示，除了功耗、性能和面积（PPA）上的改进，随着制程技术成熟，3nm工艺的良品率将会接近4nm工艺。不过鉴于过往这些年三星在5nm和4nm芯片制造上遇到的问题，这次3nm工艺的性能和功耗实际情况如何还有待观察。暂时还不清楚谁将成为三星3nm工艺的首家客户，毕竟过渡到全新的晶体管工艺是存在一定风险的，而且芯片设计人员需要开发全新的IP，价格并不便宜。

竞争对手之一的英特尔在Intel 7/4/3制程节点仍依赖FinFET，最早会在2024年才转向新型晶体管（称为RibbonFET）。另一个竞争对手台积电在N4和N3制程节点仍使用FinFET，要到N2制程节点才引入GAA工艺，大概会在2024年投入生产。