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传英伟达Blackwell架构GPU性能翻倍 采用3nm工艺

时间:2023-04-10 20:32:45
  • 来源:超能网
  • 作者:吕嘉俭
  • 编辑:豆角

近期出现了有关英伟达下一代GeForce RTX 50系列的新传言,预计将采用Blackwell架构GPU。以往一直有消息称,Blackwell接替的是Hopper,对应的是GB100,不过似乎还会有面向消费市场的GB102。

传英伟达Blackwell架构GPU性能翻倍 采用3nm工艺

去年的Arete技术大会上,英伟达副总裁兼加速计算首席总监Ian Buck重申了英伟达致力于每两年更新主要GPGPU架构的计划,确认Blackwell架构GPU将会在2024年推出。预计GTC 2024年可能是Blackwell架构将首次登场,服务器产品会先于GeForce显卡出现。

据Wccftech汇总的消息,用于GeForce RTX 50系列的Blackwell架构GPU仍然是单芯片设计,数据中心产品则采用MCM封装。英伟达对于AMD的小芯片策略并不担心,消费级上延续单芯片设计的最大优势是时间可控及低风险,可以按时生产产品。

目前Hopper架构和Ada Lovelace架构GPU采用了台积电定制的4nm工艺制造,英伟达在下一代Blackwell架构GPU上将延续与台积电的合作,选用3nm工艺制造。有内部人士透露,台积电的3nm工艺成本比起5nm工艺提高了25%,这有可能导致下一代GPU涨价。

英伟达将对Blackwell架构进行较大规模的修改,虽然不是全新的设计,但SM和CUDA会有一个新的结构,像光线追踪性能这些性能也会得到进一步优化和加强,RT单元有可能被PT单元所取代,以实现对Ada Lovelace架构的性能翻倍。Blackwell架构GPU很可能会支持GDDR7显存,相比GDDR6X会有更高的效率,不过三星的GDDR6W也许会有一些机会。其显存位宽存在512位的可能性,如果速率为36Gbps,那么显存带宽将超过2TB/s。

此外,GeForce RTX 50系列会采用PCIe 5.0接口,GPU核心频率将达到3GHz或以上。基于GB102的RTX 5090将拥有144组SM,即18432个CUDA核心,L2缓存为96MB,搭配GDDR7显存,采用PCIe 5.0 x16接口。

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